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Si4012
6
Rev 1.1
Table 4. Low Battery Detector Characteristics*
(TA = 25?C, VDD = 3.3 V, RL = 550 W, unless otherwise noted)
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Battery Voltage Measurement Accuracy
 
2
 
%
*Note: All specifications guaranteed by production test unless otherwise noted. Production test conditions and max limits are 
listed in "1.1. Definition of Test Conditions" on page 7.
Table 5. Optional Crystal Oscillator Characteristics*
(TA = 25?C, VDD = 3.3 V, RL = 600 W, unless otherwise noted)
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Crystal Frequency Range
10

13
MHz
Input Capacitance (GPIO0)
GPIO0 configured as a crystal oscillator;
XO_LOWCAP=1

3

pF
GPIO0 configured as a crystal oscillator;
XO_LOWCAP=0

5.5

pF
Crystal ESR
GPIO0 configured as a crystal oscillator;
XO_LOWCAP=1


120
W
GPIO0 configured as a crystal oscillator;
XO_LOWCAP=0


80
W
Start-Up Time
Crystal oscillator only,
60 mH motional arm inductance

9
50
ms
*Note: All specifications guaranteed by production test unless otherwise noted. Production test conditions and max limits are 
listed in "1.1. Definition of Test Conditions" on page 7.
Table 6. Thermal Conditions
Parameter
Symbol
Value
Unit
Ambient Temperature
T
A
40 to 85
癈
Junction Temperature
T
OP
40 to 90
 癈
Storage Temperature
T
STG
55 to 125
 癈
Table 7. Absolute Maximum Ratings
1,2
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage
V
DD
0.5 to 3.9
V
Input Current
3
I
IN
 10
mA
Input Voltage
4
V
IN
0.3 to (V
DD
+ 0.3)
V
Notes:
1.  Permanent device damage may occur if the absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation should be 
restricted to the conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure beyond recommended
operating conditions for extended periods may affect device reliability.
2. Handling and assembly of these devices should only be done at ESD-protected workstations.
3. All input pins besides V
DD
.
4. For GPIO pins configured as inputs.
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